（代码可运行）半导体器件和工艺模拟 使用Silvaco设计构建NMOS并提取各项工艺及器件参数

平台win10Silvaco_TCAD_2018x64代码go athena # 定义X网格 line x loc=0 spac=0.1 line x loc=0.2 spac=0.006 line x loc=0.65 spac=0.006 # 定义Y网格 line y loc=0.00 spac=0.002 line y loc=0.2 spac=0.005 line y loc=0.5 spac=0.05 line y loc=1.0 spac=0.15 # 初始化硅衬底 init silicon c.boron=1e14 orientation=100 space.mul=2 two.d # 栅氧化层生长 diffus time=10 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3 # 提取栅氧化层厚度 extract thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.3 # 阈值电压调整注入 implant boron dose=2e12 energy=10 pearson # 沉积多晶硅栅 depo poly thick=0.25 divi=10 # 栅极刻蚀 etch poly left p1.x=0.35 # 湿氧氧化（LDD侧墙准备） diffuse time=3 temp=900 weto2 # LDD轻掺杂注入 implant phosphor dose=3e13 energy=20 tilt=0 rotation=0 # 沉积并刻蚀侧墙氧化层